第438章 光刻机项目：另辟蹊径（1 / 2）
沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透，兴奋得睡不着。
喝了一杯茶，他想看看芯片制造技术的核心设备：光刻机。
目前市场上，有两种主流光刻机，一个是duv光刻机，另一个是euv光刻机。
duv是深紫外线（deepultravioletlithography，euv是极深紫外线（extremeultravioletlithography。
从制程范围来看，duv基本上只能做到25nm，intel凭借双工作台的模式做到了1nm，但是却无法达到1nm以下。
只有euv能满足1nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
这个线宽其实就是跟光的线宽有关系，比如可见光的g线，那就是436nm，如果用来刻蚀，线路肯定很宽。
可以简单地认为，光刻机的光系统其实就是一支画笔，不同的光代表不同粗细大小的笔芯，越细的笔（光能够画越细越复杂的画。
duv就是彩笔，euv就是中性笔，中性笔画的线条比较细，比较好用。
这么理解，也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。
当前，国外品牌光刻机主要以荷蓝asml，岛国nikon和三大品牌为主。
euv的价格是1-3亿美金/台，duv的价格为2万-5万美金/台不等。
目前先进的光刻系统就是euv光刻机，如果沐阳打算走euv光刻机路线，必然绕不开别人的技术专利保护范围。
因此，他只能寻找另外光种的光刻机，同时要考虑到光的分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。
就说分辨率，如果制作出来的电路图模湖不清，那芯片肯定不好。
光刻机其它的指标，也可以比喻成画笔的性能就行了。
并不是说，沐阳不能搞光刻机了，只是说，再搞duv和euv光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。
所以，他只能另辟蹊径。
很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。
原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为zyvexlitho1的光刻系统，基于stm扫描隧道显微镜，使用的是ebl(e-beamlithography)电子束光刻方式，制造出了7nm线宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。
沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比7nm更小。
他在系统商店普通货架上默念搜索“电子束光刻机”，很快，搜索出几款相关技术。
沐阳选择适合自己公司的一款技术：ebl1
技术参数：
1最小线宽：小于1nm
2加速电压：5-5kv
3电子束直径：小于5nm
4套刻精度：1nm(mean+2σ)
5拼接精度：1nm(mean+2σ)
6加工晶圆尺寸：4-18英寸
7描电镜分辨率：小于2nm
主要特点：
1采用超高亮度和超高稳定性的tfe电子枪；
2出色的电子束偏转控制技术；
3采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率可达2nm；
4采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达2mrad；
5应用领域广泛，如微纳器件加工，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等，高频电子器件中的混合光刻，图形线宽和图形位移测量等。
……
需要成就点：3点！
……
沐阳大概看了下简介，光从技术参数上就看出它的先进性。
还有更加先进的光刻机，但是，以星海集团目前的条件，买了也造不出来，而且需要的成就点非常多。
这个ebl1号称可以制造1nm以下的芯片，但量产成本会比较高。
因此，当前的情况，星海集团可以从7nm芯片工艺开始，可以保证在218年之前保持在世界第一地位。
等竞争对手可以批量搞7nm芯片了，星海集团再推出5nm或3nm芯片。
有些设备应用，也用不着这么高端的芯片，28nm芯片工艺足够，也是未来十年内的主流。
只是说，沐阳不打算玩什么中低端芯片。
另外，沐阳打算弄一些小于1nm的芯片，用于制造量子计算机和超算，这类芯片他打算自用。
接下来，沐阳确认购买ebl1技术。
十几分钟后，沐阳把ebl1技术吸收完毕。
他感觉自己对光刻机有了更深入的了解，如今就是实实在在的芯片制造顶尖专家。
买了光刻机的技术，沐阳还得购买芯片设计技术、芯片设计相关软件和相关设备。
这个芯片设计软件，他就不打算自己研发了，他在芯片软件设计这一块是弱点，靠自己研究不知道得花多长时间。
而且，目前公司形势严峻，一旦漂亮国知道自己公司在搞芯片了，会对星海集团搞各种限制。
沐阳现在赶时间，同时还有更多更重要的事情需要他亲自处理。
于是，他又花了4点成就点。
这一晚，沐阳就花了7点成就点，还是有些心疼。
等吸收完新技术后，沐阳实在有些发困了，回床休息。
翌日，沐阳是被宋雪露吧嗒一下脸蛋睡醒的。
“孩子他爸，生日快乐。”
“谢谢，有你真好。”
沐阳睁开朦胧的双眼，揽过妻子的纤腰。
他老婆跟他同年出生，只比他小几个月。
系统8级时，商店有驻颜、延迟衰老类的医药技术，沐阳希望在二十年内研发出来，能够用在老婆身上。
“我看你挺疲惫的，昨晚几点睡的？”
“好像凌晨三点多了吧。”
“这么晚呀，又有什么烦恼？”